間部 謙三 | 日本電気株式会社

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概要

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関連著者

• 高橋 健介

  日本電気株式会社

• 間部 謙三

  日本電気株式会社

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

• 小倉 卓

  Necエレクトロニクス株式会社

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 渡辺 啓仁

  日本電気株式会社

• 西藤 哲史

  日本電気株式会社

• 小倉 卓

  (株)genusion

• 高橋 健介

  NECシステムデバイス研究所

• 渡部 宏治

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 五十嵐 多恵子

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  NECシステムデバイス研究所

• 間部 謙三

  NECシステムデバイス研究所

• 忍田 真希子

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 渡部 宏治

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 寺島 浩一

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 長谷 卓

  NECシステムデバイス研究所

• 辰巳 徹

  NECシステムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社

• 望月 康則

  Necシステムデバイス研究所

• 五十嵐 多恵子

  NECシステムデバイス研究所

• 吉原 拓也

  NECシステムデバイス研究所

• 渡部 平司

  NECシステムデバイス研究所

• 寺島 浩一

  日本電気

• 小倉 卓

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 渡辺 啓仁

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 辰巳 徹

  日本電気(株)

• 忍田 真希子

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 渡辺 啓仁

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 砂村 潤

  Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構

• 砂村 潤

  日本電気株式会社

• 白井 浩樹

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 増崎 幸治

  日本電気株式会社

• 小倉 卓

  日本電気

• 白井 浩樹

  Necエレクトロニクス株式会社

• 五十嵐 信行

  日本電気

• 渡部 宏治

  日本電気

• 忍田 真希子

  日本電気

• 砂村 潤

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

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著作論文

• 相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価
• 組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• TEMエネルギー損失分光を用いたhigh-k絶縁膜の誘電的性質の評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 混載メモリ応用へ向けた相制御Ni-FUSI/HfSiONゲートスタックのインテグレーション技術
• SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
• SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
• 組成制御Niフルシリサイド電極とHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜を用いた低消費電力MOSトランジスタ (特集 次世代半導体製造のための新プロセス技術・新材料)

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