望月 康則 | Necシステムデバイス研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
望月 康則
Necシステムデバイス研究所
-
渡部 平司
NECシステムデバイス研究所
-
五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
-
五十嵐 多恵子
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
辰巳 徹
日本電気株式会社
-
高橋 健介
NECシステムデバイス研究所
-
長谷 卓
NECシステムデバイス研究所
-
辰巳 徹
NECシステムデバイス研究所
-
高橋 健介
日本電気株式会社
-
五十嵐 信行
NECシステムデバイス研究所
-
間部 謙三
NECシステムデバイス研究所
-
五十嵐 多恵子
NECシステムデバイス研究所
-
吉原 拓也
NECシステムデバイス研究所
-
間部 謙三
日本電気株式会社
-
木村 滋
JASRI
-
市橋 鋭也
NEC基礎研究所
-
小倉 卓
Necエレクトロニクス株式会社
-
小倉 卓
(株)genusion
-
辰巳 徹
NEC シリコンシステム研究所
-
馬場 雅和
NEC基礎研究所
-
最上 徹
Nec シリコンシステム研究所
-
落合 幸徳
JST
-
落合 幸徳
NEC基礎研究所
-
松井 真二
NEC基礎研究所
-
落合 幸徳
Nec基礎・環境研究所
-
寺井 真之
早稲田大学
-
寺井 真之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
-
小倉 卓
NEC シリコンシステム研究所
-
寺井 真之
NEC シリコンシステム研究所
-
渡辺 啓仁
NEC シリコンシステム研究所
-
渡部 平司
NEC シリコンシステム研究所
-
五十嵐 信行
NEC シリコンシステム研究所
-
宮村 真
NEC シリコンシステム研究所
-
西藤 哲史
NEC シリコンシステム研究所
-
森岡 あゆ香
NEC シリコンシステム研究所
-
渡部 宏治
NEC シリコンシステム研究所
-
斎藤 幸重
NEC シリコンシステム研究所
-
矢部 裕子
NEC シリコンシステム研究所
-
五十嵐 多恵子
NEC シリコンシステム研究所
-
増崎 幸治
NEC シリコンシステム研究所
-
望月 康則
NEC シリコンシステム研究所
-
小野 晴彦
マイクロエレ研
-
望月 康則
NEC基礎研
-
渡部 平司
NEC基礎研
-
大久保 紀雄
NEC基礎研
-
木村 滋
マイクロエレ研
-
最上 徹
Nec シリコンシステム研
-
最上 徹
Necシステムデバイス研究所
-
森岡 あゆ香
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
松井 真二
兵庫県立大
-
松井 真二
日本電気(株)基礎研究所
-
馬場 雅和
Nec 基礎・環境研
-
馬場 雅和
Nec基礎研:crest-jst
-
市橋 鋭也
Nec基礎・環境研究所
-
渡部 宏治
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
渡辺 啓仁
日本電気株式会社
-
西藤 哲史
日本電気株式会社
-
増崎 幸治
日本電気株式会社
-
岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
-
辰巳 徹
Nec シリコンシステム研
-
松井 真二
Nec 基礎研
-
Terai Masayuki
Department Of Applied Physics Waseda University
-
落合 幸徳
Nec基礎・環境研
-
木村 滋
(財)高輝度光科学研究センター ナノテクノロジー総合支援プロジェクト推進室
-
森岡 あゆ香
NECグリーンイノベーション研究所
著作論文
- Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 27p-ZF-8 可視発光Siの作製と物性 : イオン照射フッ酸処理法と陽極化成法
- 相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価
- 組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))