五十嵐 多恵子 | 日本電気(株)システムデバイス研究所
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概要
関連著者
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五十嵐 多恵子
日本電気(株)システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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NECシステムデバイス研究所
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NECシステムデバイス研究所
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日本電気(株)システムデバイス研究所
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渡辺 啓仁
日本電気(株)システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
NECシステムデバイス研究所
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間部 謙三
NECシステムデバイス研究所
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五十嵐 多恵子
NECシステムデバイス研究所
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NECシステムデバイス研究所
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森岡 あゆ香
NECグリーンイノベーション研究所
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辰巳 徹
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日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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日本電気(株)基礎研究所
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早稲田大学
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寺井 真之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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藤枝 信次
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
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小倉 卓
NEC シリコンシステム研究所
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寺井 真之
NEC シリコンシステム研究所
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渡辺 啓仁
NEC シリコンシステム研究所
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渡部 平司
NEC シリコンシステム研究所
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五十嵐 信行
NEC シリコンシステム研究所
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宮村 真
NEC シリコンシステム研究所
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NEC シリコンシステム研究所
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NEC シリコンシステム研究所
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NEC シリコンシステム研究所
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五十嵐 多恵子
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増崎 幸治
NEC シリコンシステム研究所
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望月 康則
NEC シリコンシステム研究所
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藤枝 信次
「応用物理」編集委員会
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最上 徹
Nec シリコンシステム研
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最上 徹
Necシステムデバイス研究所
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藤枝 信次
Ecシリコノシステム研究所
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藤枝 信次
日本電気(株)システムデバイス研究所
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藤枝 信次
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小辻 節
日本電気(株)システムデバイス研究所
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忍田 真希子
日本電気(株)システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気(株)システムデバイス研究所
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忍田 真希子
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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砂村 潤
Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構
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砂村 潤
日本電気株式会社
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渡部 宏治
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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西藤 哲史
日本電気株式会社
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増崎 幸治
日本電気株式会社
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岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
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辰巳 徹
Nec シリコンシステム研
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Terai Masayuki
Department Of Applied Physics Waseda University
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砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
著作論文
- Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上(新メモリ技術とシステムLSI)
- 相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価
- 組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 組成制御Niフルシリサイド電極とHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜を用いた低消費電力MOSトランジスタ (特集 次世代半導体製造のための新プロセス技術・新材料)
- 半球状グレインポリシリコンの形成機構