五十嵐 信行 | NECシステムデバイス研究所

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概要

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関連著者

• 五十嵐 信行

  NECシステムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 高橋 健介

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• 間部 謙三

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• 長谷 卓

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• 渡部 平司

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• 渡部 宏治

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

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• 渡部 宏治

  NECシステムデバイス研究所主任研究員

• 宮本 良之

  Nec基礎研究所主任

• 宮本 良之

  NEC基礎・環境研CNT応用研究センター

• 宮本 良之

  NECシステムデバイス・基礎研究本部基礎研究所

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著作論文

• 相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価
• 組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• TEMエネルギー損失分光を用いたhigh-k絶縁膜の誘電的性質の評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• Si酸窒化膜/Si(001)界面研究の最近の展開
• 22aWB-9 SiO_2/Si(001)界面構造の原子スケール直接観察

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