辰巳 徹 | NECシステムデバイス研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
高橋 健介
NECシステムデバイス研究所
-
長谷 卓
NECシステムデバイス研究所
-
辰巳 徹
NECシステムデバイス研究所
-
高橋 健介
日本電気株式会社
-
辰巳 徹
日本電気株式会社
-
五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
-
五十嵐 多恵子
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
五十嵐 信行
NECシステムデバイス研究所
-
間部 謙三
NECシステムデバイス研究所
-
望月 康則
Necシステムデバイス研究所
-
五十嵐 多恵子
NECシステムデバイス研究所
-
吉原 拓也
NECシステムデバイス研究所
-
渡部 平司
NECシステムデバイス研究所
-
間部 謙三
日本電気株式会社
-
小倉 卓
Necエレクトロニクス株式会社
-
小倉 卓
(株)genusion
-
寺井 真之
早稲田大学
-
寺井 真之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
西藤 哲史
NECシステムデバイス研究所
-
寺井 真之
NECシステムデバイス研究所
-
小倉 卓
NECシステムデバイス研究所
-
渡辺 啓仁
NECシステムデバイス研究所
-
渡辺 啓仁
日本電気株式会社
-
西藤 哲史
日本電気株式会社
-
Terai Masayuki
Department Of Applied Physics Waseda University
著作論文
- 45nmノード低消費電力デバイス用Ni_xSi/HfSiONゲートスタック構造(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価
- 組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))