西藤 哲史 | 日本電気株式会社
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概要
関連著者
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日本電気株式会社システムデバイス研究所
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早稲田大学
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日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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日本電気株式会社
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小倉 卓
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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Department Of Applied Physics Waseda University
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斎藤 幸重
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矢部 裕子
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森岡 あゆ香
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忍田 真希子
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砂村 潤
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NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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小倉 卓
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岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
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辰巳 徹
Nec シリコンシステム研
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白井 浩樹
Necエレクトロニクス株式会社
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五十嵐 信行
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渡部 宏治
日本電気
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忍田 真希子
日本電気
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森岡 あゆ香
NECグリーンイノベーション研究所
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砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
著作論文
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- Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
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