寺井 真之 | 日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

スポンサーリンク

概要

• 寺井 真之の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所の論文著者

関連著者

• 寺井 真之

  早稲田大学

• 寺井 真之

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• Terai Masayuki

  Department Of Applied Physics Waseda University

• 大島 忠平

  早稲田大学 各務記念材料技術研究所

• 大島 忠平

  早稲田大学理工学部

• 蒲生 康男

  早稲田大学理工学部応用物理学科

• 大島 忠平

  早稲田大学理工学部応用物理学科

• Terai Masayuki

  System Devices Research Laboratories Nec Corp.

• 若林 聖

  早稲田大学理工学部

• 長島 礼人

  東京工業大学理学部物理学科

• 大島 忠平

  早稲田大学

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

• FUJIEDA Shinji

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• MORIOKA Ayuka

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• SAITOH Motofumi

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• Morioka Ayuka

  System Devices Research Laboratories Nec Corporation

• Fujieda Shinji

  System Devices Research Laboratories Nec Corp.

• SAITOH Motofumi

  NEC Corporation, Device Platforms Research Laboratories

• Saitoh Motofumi

  Nec Corporation Device Platforms Research Laboratories

• 大谷 茂樹

  物材機構

• 小倉 卓

  Necエレクトロニクス株式会社

• 小倉 卓

  (株)genusion

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研究所

• 大谷 茂樹

  科学技術庁 無機材質研究所

• 大谷 茂樹

  無機材質研究所

• 最上 徹

  Necシステムデバイス研究所

• 長谷川 徳慶

  早稲田大学

• 奥沢 昌彦

  早稲田大学

• 大谷 茂樹

  科学技術庁無機材質研究所企画課

• 渡部 宏治

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 渡辺 啓仁

  日本電気株式会社

• 大谷 茂樹

  物質・材料研究機構

• 西藤 哲史

  日本電気株式会社

• Ogura Takashi

  Silicon Systems Research Laboratories Nec Corporation

• Ogura Takeshi

  Ntt Cyber Space Laboratories

• YABE Yuko

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• KOTSUJI Setsu

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• IWAMOTO Toshiyuki

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• OGURA Takashi

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• SAITO Yukishige

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• WATANABE Hirohito

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• WATANABE Heiji

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• Yabe Yuko

  System Devices Research Laboratories Nec Corp.

• Kotsuji Setsu

  System Devices Research Laboratories Nec Corporation

• Ogura T

  Ntt Network Innovation Laboratories

• Watanabe Heiji

  System Devices Research Laboratories Nec Corporation

• Iwamoto T

  Keio Univ. Fujisawa‐shi Jpn

• Ogura Takashi

  System Devices And Fundamental Research Nec Corporation

• Saito Yukishige

  System Devices Research Laboratories Nec Corp.

• 奥沢 昌彦

  早稲田大学理工学部応用物理学科

• Watanabe Hirohito

  System Devices Research Laboratories Nec Corp.

• 成広 充

  NECシステムデバイス研究所

• 成廣 充

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 新井 浩一

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 長島 礼人

  早大理工

• 大島 忠平

  早大理工

• 山本 豊二

  MIRAI-ASET

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  NECシリコンシステム研究所

• 山本 豊二

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 辰巳 徹

  NEC シリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  NECエレクトロニクス株式会社

• 藤枝 信次

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 西藤 哲史

  NECシステムデバイス研究所

• 寺井 真之

  NECシステムデバイス研究所

• 高橋 健介

  NECシステムデバイス研究所

• 長谷 卓

  NECシステムデバイス研究所

• 小倉 卓

  NECシステムデバイス研究所

• 辰巳 徹

  NECシステムデバイス研究所

• 渡辺 啓仁

  NECシステムデバイス研究所

• 岩本 敏幸

  NEC シリコンシステム研究所

• 小倉 卓

  NEC シリコンシステム研究所

• 寺井 真之

  NEC シリコンシステム研究所

• 渡辺 啓仁

  NEC シリコンシステム研究所

• 渡部 平司

  NEC シリコンシステム研究所

• 五十嵐 信行

  NEC シリコンシステム研究所

• 宮村 真

  NEC シリコンシステム研究所

• 西藤 哲史

  NEC シリコンシステム研究所

• 森岡 あゆ香

  NEC シリコンシステム研究所

• 渡部 宏治

  NEC シリコンシステム研究所

• 斎藤 幸重

  NEC シリコンシステム研究所

• 矢部 裕子

  NEC シリコンシステム研究所

• 五十嵐 多恵子

  NEC シリコンシステム研究所

• 増崎 幸治

  NEC シリコンシステム研究所

• 望月 康則

  NEC シリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 渡部 宏治

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 深井 利憲

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 藤枝 信次

  「応用物理」編集委員会

• 高橋 健介

  日本電気株式会社

• 大谷 茂樹

  物質・材料研究機構 ナノ物質ラボ

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研

• 藤枝 信次

  Ecシリコノシステム研究所

• 藤枝 信次

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 五十嵐 多恵子

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 森岡 あゆ香

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 深井 利憲

  Necエレクトロニクス

• 長島 礼人

  東京工業大学理学部

• 長島 礼人

  東工大物理

• 蒲生 康男

  東工大物理

• 寺井 真之

  東工大物理

• 若林 聖

  東工大物理

• 大島 忠平

  東工大物理

• 蒲生 康男

  早大理工

• 若林 聖

  早大理工

• 寺井 真之

  早大理工

• 望月 康則

  Necシステムデバイス研究所

• 渡部 平司

  NECシステムデバイス研究所

• OSHIMA Chuhei

  Department of Applied Physics, Waseda University

• 増崎 幸治

  日本電気株式会社

• 岩本 俊幸

  Nec Electronics Corporation

• 辰巳 徹

  Nec シリコンシステム研

• IKARASHI Nobuyuki

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• WATANABE Koji

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• TATSUMI Toru

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• MIYAMURA Makoto

  System Devices Research Laboratories, NEC Corp.

• IKARASHI Taeko

  System Devices Research Laboratories, NEC Corp.

• MASUZAKI Koji

  System Devices Research Laboratories, NEC Corp.

• Tatsumi Toru

  System Devices Research Laboratories Nec Corporation

• Masuzaki Koji

  System Devices Research Laboratories Nec Corp.

• Oshima Chuhei

  Department Of Applied Physics Waseda University

• Ikarashi Taeko

  System Devices Research Laboratories Nec Corporation

• Terai Masayuki

  Department Of Informatics Osaka Gakuin University

• Gamou Yasuo

  Department of Applied Physics, Waseda University

• Nagashima Ayato

  Department of Physics, Tokyo Institute of Technology

• Gamou Yasuo

  Department Of Applied Physics Waseda University

• Nagashima Ayato

  Department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• IKARASHI Nobuyuki

  NEC Corporation, Device Platforms Research Laboratories

• MIYAMURA Makoto

  NEC Corporation, Device Platforms Research Laboratories

• Tatsumi Toru

  System Devices And Fundamental Research Nec Corporation

• Ikarashi N

  Nec Corporation Device Platforms Research Laboratories

• Ikarashi Nobuyuki

  System Devices Research Laboratories Nec Corporation

• Miyamura Makoto

  Nec Corporation Device Platforms Research Laboratories

• Watanabe Koji

  System Devices Research Laboratories Nec Corp.

• 森岡 あゆ香

  NECグリーンイノベーション研究所

もっと見る 閉じる

著作論文

• 極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 45nmノード低消費電力デバイス用Ni_xSi/HfSiONゲートスタック構造(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成
• Breakdown Mechanisms and Lifetime Prediction for 90nm-node Low-power HfSiON/SiO_2 CMOSFETs
• Influences of Traps within HfSiON Bulk on Positive- and Negative-Bias Temperature Instability of HfSiON Gate Stacks
• 1.2nm HfSiON/SiON stacked gate insulators for 65nm-node MISFETs
• グラファイト・ナノリボンの電子構造
• グラファイト・ナノクリスタルおよびグラファイト・ナノリボンの作製
• Ni(111)表面上単原子層グラファイトの構造解析
• 3p-J-12 単原子層h-BNに被膜されたNi(111)表面上におけるグラファイト吸着層の成長及び電子状態の観察
• 3a-K-3 Ni(111)表面上のグラファイト及びh-BN単原子層膜の構造解析
• Atomic Structural Analysis of a Monolayer Epitaxial Film of Hexagonal Boron Nitride/Ni(111) studied by LEED Intensity Analysis(Interfaces by various techniques)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク