山本 豊二 | MIRAI-ASET

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概要

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関連著者

• 山本 豊二

  MIRAI-ASET

• 山本 豊二

  NECシリコンシステム研究所

• 山本 豊二

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 羽根 正己

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 江崎 達也

  広島大学

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  Necシステムデバイス研究所

• 東郷 光洋

  NECエレクトロニクス株式会社

• 池澤 健夫

  NEC情報システムズ

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 池澤 健夫

  株式会社NEC情報システムズ

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

• 羽根 正巳

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 若林 整

  NEC

• 若林 整

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 若林 整

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 若林 整

  ソニー(株)

• 中村 英達

  NECシリコンシステム研究所

• 山本 豊二

  NEC、シリコンシステム研究所

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 深井 利憲

  Necエレクトロニクス

• 竹内 潔

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• 坂本 圭司

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 中原 寧

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 小山 晋

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 松田 友子

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 藤原 秀二

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 永瀬 正俊

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 山縣 保司

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 東郷 光洋

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 渡部 宏治

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 山本 豊二

  日本電気(株)

• 渡部 宏治

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 山縣 保司

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 中原 寧

  Necエレクトロニクス

• 辰巳 徹

  日本電気(株)

• 小倉 卓

  Necエレクトロニクス株式会社

• 小倉 卓

  (株)genusion

• 江崎 達也

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 河田 道人

  NEC情報システムズ

• 江崎 達也

  NECシリコンシステム研究所

• 岩本 敏幸

  NECシリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  NECシリコンシステム研究所

• 江崎 達也

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 中村 英達

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 江崎 達也

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部

• 山本 豊二

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部

• 中里 博紀

  NEC情報システムズ科学技術システム事業部

• 羽根 正巳

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部

• 川浦 久雄

  日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター

• 阪本 利司

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 阪本 利司

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 田村 貴央

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 最上 徹

  Necシリコンシステム研究所

• 最上 徹

  日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所

• 岩本 敏幸

  NEC シリコンシステム研究所

• 長谷川 英司

  Nec Electronics Corporation

• 長谷川 英司

  Necエレクトロニクス(株)

• 竹内 潔

  NECシリコンシステム研究所

• 最上 徹

  NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  NECシステムデバイス研究所

• 深井 利憲

  NECシステムデバイス研究所

• 真壁 昌里子

  NECエレクトロニクスプロセス技術事業部

• 後藤 啓郎

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 山本 豊二

  NECシステムデバイス研究所

• 河田 道人

  株式会社nec情報システムズ

• 後藤 啓郎

  NEC Electronics Corporation

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社

• 若林 整

  NECシリコンシステム研究所

• 阪本 利司

  Nec 基礎・環境研

• 阪本 利司

  日本電気(株)基礎・環境研究所

• 小倉 卓

  日本電気(株)

• 斉藤 幸重

  日本電気(株)

• 上沢 謙一

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 斉藤 幸重

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 岩本 俊幸

  Nec Electronics Corporation

• 小野 春彦

  日本電気株式会社 シリコンシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 小野 春彦

  NECシリコンシステム研

• 成広 充

  NECシステムデバイス研究所

• 成廣 充

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 新井 浩一

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 池田 昌弘

  Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 江崎 達也

  NEC

• 阪本 利司

  NEC

• 川浦 久雄

  NEC

• 五十嵐 信行

  NEC

• 竹内 潔

  NEC

• 山本 豊二

  NEC

• 江崎 達也

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 阪本 利司

  NEC(株)基礎・環境研究所

• 川浦 久雄

  NEC(株)基礎・環境研究所

• 山上 滋春

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 竹内 潔

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  NECシリコンシステム研究所

• 羽根 正巳

  NECシリコンシステム研究所

• 五十嵐 信行

  NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部

• 羽根 正巳

  NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部

• 山本 豊二

  NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部

• 安彦 仁

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 吉田 和由

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 山下 良美

  Mirai-aset

• 田岡 紀之

  半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)

• 林 喜宏

  半導体MIRAI-ASET

• 三宅 慎一

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 高木 信一

  東京大学

• 田村 貴央

  日本電気(株) ULSIデバイス開研究所

• 吉田 和由

  日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所

• 高木 信一

  東京大学大学院 工学系研究科

• 山本 豊二

  半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)

• 池田 圭司

  半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)

• 杉山 直治

  半導体MIRAI-ASET

• 原田 真臣

  半導体MIRAI-ASET

• 原田 正臣

  MIRAI-ASET

• 池田 圭司

  MIRAI-ASET

• 鈴木 邦広

  MIRAI-ASET

• 杉山 直治

  MIRAI-ASET

• 田岡 紀之

  MIRAI-産総研ASRC

• 木曽 修

  MIRAI-産総研ASRC

• 高木 信一

  MIRAI-産総研ASRC

• 安彦 仁

  日本電気(株)

• 池田 圭司

  半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)

• 深井 利憲

  NEC、シリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  NEC、シリコンシステム研究所

• 保国 裕美

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 国宗 依信

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 小野田 中

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 山夕 貴子

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 工藤 智彦

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 寺井 真之

  早稲田大学

• 寺井 真之

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 深井 利憲

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 林 喜宏

  日本電気(株)

• 山田 泰久

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 高木 信一

  半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)

• 林 喜宏

  日本電気(株)マイクロエレクトロ二クス研究所

• 酒井 勲美

  NEC Corporation

• 池澤 延幸

  Necエレクトロニクス(株)

• 池田 昌弘

  Necエレクトロニクス

• 五十嵐 信行

  Necシリコンシステム研

• 羽根 正巳

  Nec シリコンシステム研

• 忍田 真希子

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 川本 英明

  Necエレクトロニクス(株)

• 山田 秦久

  Nec エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 川口 宏

  日本電気(株)

• 斎藤 幸重

  日本電気(株)

• 徳永 賢一

  日本電気(株)

• 山田 泰久

  日本電気(株)

• 酒井 勲美

  日本電気(株)

• 辰巳 徹

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 忍田 真希子

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 上沢 兼一

  日本電気(株)

• 中原 寧

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• Terai Masayuki

  Department Of Applied Physics Waseda University

• 山本 豊二

  半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)

• 徳永 賢一

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所

• 高木 信一

  東大 大学院工学系研究科

• 上沢 謙一

  日本電気(株)

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著作論文

• 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
• Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• (110)面基板上に作製したサブ100nm CMOSの電気特性
• (110)面基板上に作製したサブ100nmCMOSの電気特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• MOSFET反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
• MOSFET反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーションシミュレーション
• GeチャネルMOSトランジスタの課題とサブ100nmPMOS動作実証
• Wide-range V_動作に適した65nm CMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成
• 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 溝側壁注入により逆狭チャネル効果を抑制した0.2μmSTI技術
• Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーションシミュレーション
• シリコン直接窒化+酸化法による2.5nmゲート絶縁膜形成とMOSFET特性
• 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
• ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
• ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜

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