山本 豊二 | NEC、シリコンシステム研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NEC、シリコンシステム研究所の論文著者

関連著者

• 山本 豊二

  MIRAI-ASET

• 山本 豊二

  NECシリコンシステム研究所

• 山本 豊二

  NEC、シリコンシステム研究所

• 山本 豊二

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 東郷 光洋

  NECエレクトロニクス株式会社

• 田村 貴央

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 山本 豊二

  日本電気(株)

• 池田 昌弘

  Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 辰巳 徹

  日本電気(株)

• 小倉 卓

  Necエレクトロニクス株式会社

• 小倉 卓

  (株)genusion

• 江崎 達也

  広島大学

• 池澤 健夫

  NEC情報システムズ

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 中村 英達

  NECシリコンシステム研究所

• 江崎 達也

  NECシリコンシステム研究所

• 岩本 敏幸

  NECシリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  NECシリコンシステム研究所

• 五十嵐 信行

  NECシリコンシステム研究所

• 羽根 正巳

  NECシリコンシステム研究所

• 安彦 仁

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 坂本 圭司

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 吉田 和由

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研究所

• 林 喜宏

  半導体MIRAI-ASET

• 三宅 慎一

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 中原 寧

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 田村 貴央

  日本電気(株) ULSIデバイス開研究所

• 吉田 和由

  日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所

• 安彦 仁

  日本電気(株)

• 深井 利憲

  NEC、シリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  NEC、シリコンシステム研究所

• 小山 晋

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 保国 裕美

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 松田 友子

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 藤原 秀二

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 国宗 依信

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 永瀬 正俊

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 小野田 中

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 山夕 貴子

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 工藤 智彦

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 山縣 保司

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 最上 徹

  日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 岩本 敏幸

  NEC シリコンシステム研究所

• 林 喜宏

  日本電気(株)

• 山田 泰久

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 最上 徹

  Necシステムデバイス研究所

• 林 喜宏

  日本電気(株)マイクロエレクトロ二クス研究所

• 酒井 勲美

  NEC Corporation

• 羽根 正巳

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 池田 昌弘

  Necエレクトロニクス

• 五十嵐 信行

  Necシリコンシステム研

• 羽根 正己

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 深井 利憲

  Necエレクトロニクス

• 羽根 正巳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 山田 秦久

  Nec エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 川口 宏

  日本電気(株)

• 斎藤 幸重

  日本電気(株)

• 徳永 賢一

  日本電気(株)

• 山田 泰久

  日本電気(株)

• 酒井 勲美

  日本電気(株)

• 池澤 健夫

  株式会社NEC情報システムズ

• 小倉 卓

  日本電気(株)

• 斉藤 幸重

  日本電気(株)

• 上沢 兼一

  日本電気(株)

• 上沢 謙一

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 中原 寧

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 斉藤 幸重

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 岩本 俊幸

  Nec Electronics Corporation

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

• 徳永 賢一

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 山縣 保司

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 中原 寧

  Necエレクトロニクス

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所

• 羽根 正巳

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

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著作論文

• (110)面基板上に作製したサブ100nm CMOSの電気特性
• Wide-range V_動作に適した65nm CMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 溝側壁注入により逆狭チャネル効果を抑制した0.2μmSTI技術
• シリコン直接窒化+酸化法による2.5nmゲート絶縁膜形成とMOSFET特性

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