(110)面基板上に作製したサブ100nm CMOSの電気特性
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概要
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- 2003-10-21
著者
-
江崎 達也
広島大学
-
池澤 健夫
NEC情報システムズ
-
山本 豊二
MIRAI-ASET
-
五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
-
山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
-
中村 英達
NECシリコンシステム研究所
-
江崎 達也
NECシリコンシステム研究所
-
岩本 敏幸
NECシリコンシステム研究所
-
東郷 光洋
NECシリコンシステム研究所
-
五十嵐 信行
NECシリコンシステム研究所
-
羽根 正巳
NECシリコンシステム研究所
-
山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
-
東郷 光洋
NECエレクトロニクス株式会社
-
山本 豊二
NEC、シリコンシステム研究所
-
岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
-
羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
五十嵐 信行
Necシリコンシステム研
-
羽根 正己
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
池澤 健夫
株式会社NEC情報システムズ
-
岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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