HREM断面観察を用いたSiO_2/Si界面平坦性の定量測定
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2000-05-01
著者
-
五十嵐 信行
NECシリコンシステム研究所
-
五十嵐 信行
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
五十嵐 信行
Necシリコンシステム研
-
渡部 宏治
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
渡部 宏治
NECシリコンシステム研究所
-
細川 由美子
NECシリコンシステム研究所
関連論文
- (110)面基板上に作製したサブ100nm CMOSの電気特性
- Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成
- 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上(新メモリ技術とシステムLSI)
- 相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価
- 組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
- 特集企画にあたって
- 収束電子回折によるデバイス構造の格子ひずみ評価
- 微細コンタクトホール底Si表面自然酸化膜の制御
- Ti挿入による太幅銅配線のストレス誘起ボイドの抑制
- CVD法により形成したTiSi_2膜とSi基板との界面における形態安定性 : 気相成長I
- HfO_2/SiO_2界面の熱安定性のHAADF-STEM評価 : Hf分布の定量的測定と拡散係数の決定
- Si酸窒化膜/Si(001)界面研究の最近の展開
- Sio_2/Si 界面構造の原子スケール直接観察
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
- 22aWB-9 SiO_2/Si(001)界面構造の原子スケール直接観察
- HREM断面観察を用いたSiO_2/Si界面平坦性の定量測定
- 溶液から成長する樹枝状氷晶の側枝の形成 : 基礎II
- 31a-WC-10 Si/Ge界面2x1秩序構造のHREM, GID観察
- VI. 半導体人工格子, 量子ドット 半導体へテロエピタキシャル界面構造の原子スケール観察
- 半導体人工格子,量子ドット (ミニ特集 電子顕微鏡による材料研究の最前線(第2回)半導体・セラミックス機能材料の格子欠陥とミクロ構造の観察)
- 29a-ZB-7 Si/Ge界面の高分解能電子顕微鏡観察
- 27a-S-6 AlAs/GaAs界面のステップ構造の高分解能電子顕微鏡観察