ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
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概要
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サブ 0.1μmCMOS に必要である低リーク1.5nm ゲート絶縁膜の形成方法として、ラジカル酸窒化法を検討した。本ラジカル酸窒化法は、膜厚 2nm以下の極薄膜で窒素プロファイルを急峻に制御できることが分かった。その結果、ラジカル酸化後にラジカル窒化するプロセスにより、酸化膜換算膜厚1.5nm のゲート酸窒化膜においてトランジスタのオン電流を維持したままゲートリーク電流を2桁下げることができた。これは、ラジカル窒化により形成される酸窒化膜は誘電率が高いため、電気膜厚を一定にしたままゲ一ト絶縁膜の物理膜厚を厚くすることができたためである。またラジカル酸窒化法でゲート絶縁膜を形成することにより、TDDB信頼性を10倍以上向上することができることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-08
著者
-
山本 豊二
MIRAI-ASET
-
五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
-
山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
-
山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
-
山本 豊二
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
最上 徹
Nec シリコンシステム研究所
-
東郷 光洋
NECエレクトロニクス株式会社
-
東郷 光洋
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
-
渡部 宏治
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
-
辰巳 徹
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
-
最上 徹
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
-
最上 徹
Necシステムデバイス研究所
-
五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
五十嵐 信行
日本電気株式会社
-
渡部 宏治
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
辰巳 徹
日本電気株式会社
-
小野 春彦
日本電気株式会社 シリコンシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所
-
小野 春彦
NECシリコンシステム研
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