SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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概要

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SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧(Vth)の制御方法について報告する。NiSi(モノシリサイド)ゲート電極を用いてチャネル濃度を調整することによって、NFETのLSTP用デバイスとLOP用デバイスに合ったVthを得ることができる。また、PFETについては、Ni-FUSIの組成制御によってLSTP用デバイスとLOP用デバイスに適したVthが得られる。さらに、F注入を用いることによって、単一相のNi-FUSI、すなわちNiSiだけでLSTP用デバイスとLOP用デバイスに適したVth制御を実現できる可能性がある。
2007-01-19

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