(110)面基板上に作製したサブ100nmCMOSの電気特性(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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概要
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(110)面シリコン基板上に作製した、様々なチャネル方向を持つMOSFETについて、低電界移動度と短チャネル特性を実験と理論の両側面から議論した。(110)面と(001)面基板で界面ラフネスが同じであるため、移動度比(μ_<(110)>/μ_<(001)>)は垂直方向電界に依存しない。フルバンドモデルと緩和時間近似を用いた計算によって、移動度の向上率とチャネル方向依存性についての実験結果をよく再現できた。ポケット注入後にエクステンション注入を行なうことでSDエクステンションにおけるチャネリングを抑制し、(001)面と同程度のV_<th>ローワリング特性を得ることができた。(110)面で最適チャネル方向を用いることで短チャネルにおいて遅延時間が約5%改善し、また、nMOSとpMOSのオン電流のバランスが向上する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-10-14
著者
-
江崎 達也
広島大学
-
池澤 健夫
NEC情報システムズ
-
山本 豊二
MIRAI-ASET
-
五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
-
山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
-
中村 英達
NECシリコンシステム研究所
-
江崎 達也
NECシリコンシステム研究所
-
岩本 敏幸
NECシリコンシステム研究所
-
東郷 光洋
NECシリコンシステム研究所
-
山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
-
五十嵐 信行
NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部
-
羽根 正巳
NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部
-
山本 豊二
NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部
-
東郷 光洋
NECエレクトロニクス株式会社
-
岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
-
羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
羽根 正己
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
池澤 健夫
株式会社NEC情報システムズ
-
岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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