パワーデバイス混載ミックスシグナルLSIテクノロジ : 高性能かつ高信頼度BiC-DMOSデバイス開発(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
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概要
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電気機器や電装品は"高効率かつ省エネルギー"が求められており、パワーデバイスやパワーデバイス内蔵LSIは中心デバイスに位置付けられ、開発が進んでいる。本論文では高効率化や省エネルギー化を推進するデバイスであるパワーデバイス混載ミックスシグナルLSIの過去から現在までのトレンドを説明し、微細加工技術を使用することによるデバイスの高性能化、SOI技術を使用することによるデバイスの高性能化について夫々説明する。また、現在開発中の技術としてワイドバンドギャップ半導体InGaZnO(IGZO)をチャネル材料として、配線層に三次元的に形成するBEOLトランジスタについて紹介する。
- 2012-07-19
著者
-
畑迫 健一
ルネサステクノロジ
-
新田 哲也
ルネサスエレクトロニクス
-
畑迫 健一
ルネサスエレクトロニクス
-
前川 繁登
ルネサスエレクトロニクス
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
畑迫 健一
ルネザスエレクトロニクス
-
新田 哲也
ルネサスエレクトロニクス株式会社ミックスシグナルデバイス開発部
-
畑迫 健一
ルネサスエレクトロニクス株式会社ミックスシグナルデバイス開発部
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス(株)
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
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