原子レベルプロセスデバイスシミュレーションの進展と応用 : 微細MOSFETの真性ばらつき解析
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概要
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原子レベルプロセスデバイスシミュレーションの最近の進展と, その応用として微細MOSFETの真性ばらつき解析を紹介する. 大規模集積回路の進展は主に半導体シリコンMOSFETの微細化が牽引してきたが, デバイスの寸法(例えばゲート長)が0.1μmを切るあたりから個々のデバイスのランダムな特性ばらつきが問題視されるようになってきている. ここでは, プロセスデバイスシミュレーションを原子レベルのモデリングを用いて予測機能を高め, 不純物原子の位置と数の離散性とゲート端形状揺らぎに起因する個々のデバイス特性の真性ばらつきのシミュレーション解析について解説する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-09-01
著者
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羽根 正巳
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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