酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーションシミュレーション
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概要
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酸化膜中の分散的なホール輸送を取り入れた新しいパーコレーションモデルを用いて, 極薄酸化膜の絶縁破壊の解析を行った.欠陥を一様ランダムに生成させる従来モデルに対して, 新モデルでは酸化膜中にトラップされたホールの非一様な分布にしたがって欠陥を生成させている.なお, 膜中にトラップされたホールの分布は連続時間酔歩モデルにより求めた.さらに, 破壊に至るまでに形成されるパーコレーション経路の数を考慮することにより, さまざまな酸化膜厚のWeibull分布の実験結果を再現することが可能となった
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-15
著者
-
江崎 達也
広島大学
-
山本 豊二
MIRAI-ASET
-
山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
-
山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
-
江崎 達也
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部
-
山本 豊二
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部
-
中里 博紀
NEC情報システムズ科学技術システム事業部
-
羽根 正巳
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部
-
羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
羽根 正己
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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