溝側壁注入により逆狭チャネル効果を抑制した0.2μmSTI技術
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概要
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- 1997-12-04
著者
-
山本 豊二
MIRAI-ASET
-
山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
-
安彦 仁
日本電気ULSIデバイス開発研究所
-
吉田 和由
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
-
田村 貴央
日本電気(株) ULSIデバイス開研究所
-
吉田 和由
日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所
-
安彦 仁
日本電気(株)
-
田村 貴央
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
-
山本 豊二
NEC、シリコンシステム研究所
-
林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
-
林 喜宏
日本電気(株)
-
山田 泰久
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
林 喜宏
日本電気(株)マイクロエレクトロ二クス研究所
-
酒井 勲美
NEC Corporation
-
山田 秦久
Nec エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
川口 宏
日本電気(株)
-
斎藤 幸重
日本電気(株)
-
山本 豊二
日本電気(株)
-
徳永 賢一
日本電気(株)
-
山田 泰久
日本電気(株)
-
酒井 勲美
日本電気(株)
-
徳永 賢一
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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