耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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28nm世代以降の最先端LSIや車載用途などの高い信頼性が必要とされるLSIに向けて、多孔質絶縁膜に埋設されたCuダマシン配線に対して、Cu表面のみを極薄コバルト合金膜で選択的に被覆するCoWBメタルキャップ配線構造を開発した。この技術により、従来課題であった多孔質絶縁膜の絶縁信頼性を劣化させることなく、銅配線の信頼性を飛躍的に向上(従来技術比10倍)させた高信頼・低電力Cu配線を実現できることを確認した。
- 2010-01-29
著者
-
井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
-
田上 政由
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
井上 尚也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
古武 直也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
-
林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
-
林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
-
林 喜宏
日本電気株式会社
-
有田 幸司
Necエレクトロニクス
-
中沢 絵美子
NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
-
田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
-
古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
-
林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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