有田 幸司 | Necエレクトロニクス

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概要

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• Necエレクトロニクスの論文著者

関連著者

• 有田 幸司

  Necエレクトロニクス

• 林 喜宏

  半導体MIRAI-ASET

• 林 喜宏

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 林 喜宏

  NECシリコンシステム研究所

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所

• 林 喜宏

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 田上 政由

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 井上 尚也

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 古武 直也

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 林 喜宏

  NECシステムデバイス研究所

• 藤井 邦宏

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK

• 本山 幸一

  NECエレクトロニクス(株)

• 本山 幸一

  Necエレクトロニクス

• 中沢 絵美子

  NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 藤井 邦宏

  Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 田上 政由

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 井上 尚也

  大阪府立大学工学部情報工学科

• 植木 誠

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 久米 一平

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 山本 博規

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 川原 潤

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 肱岡 健一郎

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 泰地 稔二

  NECELプロセス技術事業部

• 大竹 浩人

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 田上 政由

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 関根 誠

  NECエレクトロニクス株式会社

• 林 喜宏

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 池田 昌弘

  Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 横川 慎二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 植木 誠

  東北大学:(現)新日本製鐵(株)

• 大音 光市

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 大音 光市

  Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 宇佐美 達矢

  NECエレクトロニクス(株)

• 黒川 哲也

  NECエレクトロニクス(株)

• 田辺 昭

  Necエレクトロニクス(株)

• 大竹 浩人

  東北大

• 伊藤 信和

  日本電気株式会社先端デバイス開発本部

• 伊藤 信和

  日本電気株式会社 誘導光電事業部

• 深井 利憲

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 宇佐美 達矢

  Necエレクトロニクス株式会社

• 横川 慎二

  NECエレクトロニクス

• 細井 信基

  株式会社半導体先端テクノロジーズ

• 細井 信基

  日本電気株式会社先端デバイス開発本部

• 君塚 亮一

  荏原ユージライト(株)中央研究所

• 川原 潤

  Necエレクトロニクス

• 鈴木 三惠子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 角原 由美

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 土屋 秀昭

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 戸原 誠人

  NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 池田 昌弘

  Necエレクトロニクス

• 長瀬 寛和

  NECエレクトロニクス

• 北尾 良平

  NECエレクトロニクス

• 川原 尚由

  NECエレクトロニクス(株)

• 深井 利憲

  Necエレクトロニクス

• 君塚 亮一

  株式会社荏原製作所精密・電子事業本部

• 長井 瑞樹

  株式会社荏原製作所精密・電子事業本部

• 奥山 修一

  株式会社荏原製作所精密・電子事業本部

• 小林 健

  株式会社荏原製作所精密・電子事業本部

• 有田 幸司

  日本電気株式会社先端デバイス開発本部

• 宮本 秀信

  日本電気株式会社先端デバイス開発本部

• 横川 慎二

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 横川 慎二

  Necエレクトロニクス株式会社

• 横川 慎二

  電気通信大学

• 菊田 邦子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 竹脇 利至

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 鈴木 三恵子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 豊嶋 宏徳

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 土屋 楽章

  NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 泰地 稔二

  NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 田辺 昭

  Necエレクトロニクス

• 黒川 哲也

  Necエレクトロニクス株式会社先端テスト評価技術事業部

• 古武 直也

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 肱岡 健一郎

  Necエレクトロニクス

• 肱岡 健一郎

  青山学院大学電気電子工学科

• 久米 一平

  Necエレクトロニクス

• 角原 由美

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 土屋 秀昭

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 川原 尚由

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 川原 潤

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 井上 尚也

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 久米 一平

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 長井 瑞樹

  株式会社荏原製作所

• 泰地 稔二

  ルネサスエレクトロニクス生産本部

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著作論文

• 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線(配線・実装技術と関連材料技術)
• Low-k/Cu デュアルダマシンコンタクトによる40nm MOSFET高周波性能向上
• 微細銅配線において車載信頼性を実現するための新抵抗率評価手法(配線・実装技術と関連材料技術)
• シード補強銅めっきを用いた銅配線埋設技術( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
• 目ずれマージンを確保した多層ハードマスク法によるデュアルダマシン形成(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線

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