大音 光市 | NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

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概要

• 同名の論文著者
• NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部の論文著者

関連著者

• 大音 光市

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 大音 光市

  Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 藤井 邦宏

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK

• 藤井 邦宏

  Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 岸本 光司

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 松木 武雄

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 伊藤 信和

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 吉田 和由

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NEC日立メモリ(株)

• 山崎 進也

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)LSI製造本部

• 新村 俊樹

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)山形日本電気(株)

• 笠井 直記

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 笠井 直記

  日本電気(株)

• 吉田 和由

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)nec日立メモリ(株)

• 伊藤 信和

  日本電気株式会社先端デバイス開発本部

• 新村 俊樹

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)山形日本電気(株)

• 山崎 進也

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)lsi製造本部

• 菊田 邦子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 泰地 稔二

  NECELプロセス技術事業部

• 関根 誠

  NECエレクトロニクス株式会社

• 横川 慎二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 松木 武雄

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 伊藤 信和

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 藤井 邦宏

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 吉田 和由

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 大音 光市

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 山崎 進也

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 新村 俊樹

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 笠井 直記

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 宇佐美 達矢

  NECエレクトロニクス(株)

• 黒川 哲也

  NECエレクトロニクス(株)

• 本山 幸一

  NECエレクトロニクス(株)

• 有田 幸司

  Necエレクトロニクス

• 恒成 欣嗣

  日本電気株式会社

• 吉川 公磨

  ULSIデバイス開発研究所

• 本山 幸一

  Necエレクトロニクス

• 宇佐美 達矢

  Necエレクトロニクス株式会社

• 横川 慎二

  NECエレクトロニクス

• 上野 和良

  Nec・ulsiデバイス開発研究所

• 上野 和良

  Necエレクトロニクス(株)

• 大音 光市

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 菊田 邦子

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 鈴木 三惠子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 角原 由美

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 土屋 秀昭

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 戸原 誠人

  NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 川原 尚由

  NECエレクトロニクス(株)

• 横川 慎二

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 横川 慎二

  Necエレクトロニクス株式会社

• 横川 慎二

  電気通信大学

• 竹脇 利至

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 鈴木 三恵子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 豊嶋 宏徳

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 土屋 楽章

  NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 泰地 稔二

  NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 恒成 欣嗣

  NEC

• 吉川 公磨

  NEC

• 黒川 哲也

  Necエレクトロニクス株式会社先端テスト評価技術事業部

• 菊田 邦子

  Nec Ulsi デバイス開発研究所

• 角原 由美

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 土屋 秀昭

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 川原 尚由

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 泰地 稔二

  ルネサスエレクトロニクス生産本部

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著作論文

• ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD-2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
• ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
• ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
• 微細銅配線において車載信頼性を実現するための新抵抗率評価手法(配線・実装技術と関連材料技術)
• セルフアラインプラグを有する0.25μm埋め込み配線

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