山崎 進也 | NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)LSI製造本部
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概要
関連著者
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岸本 光司
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)LSI製造本部
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NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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笠井 直記
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Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)nec日立メモリ(株)
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新村 俊樹
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)山形日本電気(株)
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山崎 進也
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)lsi製造本部
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NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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著作論文
- ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD-2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
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