山崎 進也 | Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)lsi製造本部
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概要
関連著者
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岸本 光司
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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松木 武雄
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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伊藤 信和
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK
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吉田 和由
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NEC日立メモリ(株)
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大音 光市
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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山崎 進也
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)LSI製造本部
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新村 俊樹
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)山形日本電気(株)
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笠井 直記
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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笠井 直記
日本電気(株)
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Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部
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吉田 和由
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)nec日立メモリ(株)
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伊藤 信和
日本電気株式会社先端デバイス開発本部
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新村 俊樹
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)山形日本電気(株)
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藤井 邦宏
Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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山崎 進也
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)lsi製造本部
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松木 武雄
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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伊藤 信和
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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藤井 邦宏
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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吉田 和由
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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大音 光市
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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山崎 進也
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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新村 俊樹
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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笠井 直記
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
著作論文
- ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD-2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
- ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
- ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET