大音 光市 | Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

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概要

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関連著者

• 大音 光市

  Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 大音 光市

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 藤井 邦宏

  Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 藤井 邦宏

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK

• 岸本 光司

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 松木 武雄

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 伊藤 信和

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 吉田 和由

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NEC日立メモリ(株)

• 山崎 進也

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)LSI製造本部

• 新村 俊樹

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)山形日本電気(株)

• 笠井 直記

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 笠井 直記

  日本電気(株)

• 吉田 和由

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)nec日立メモリ(株)

• 伊藤 信和

  日本電気株式会社先端デバイス開発本部

• 新村 俊樹

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)山形日本電気(株)

• 恒成 欣嗣

  日本電気株式会社

• 上野 和良

  Necエレクトロニクス(株)

• 山崎 進也

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)lsi製造本部

• 宇佐美 達矢

  Necエレクトロニクス株式会社

• 大音 光市

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 菊田 邦子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 泰地 稔二

  NECELプロセス技術事業部

• 関根 誠

  NECエレクトロニクス株式会社

• 横川 慎二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 松木 武雄

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 伊藤 信和

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 藤井 邦宏

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 吉田 和由

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 大音 光市

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 山崎 進也

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 新村 俊樹

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 笠井 直記

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 宇佐美 達矢

  NECエレクトロニクス(株)

• 黒川 哲也

  NECエレクトロニクス(株)

• 本山 幸一

  NECエレクトロニクス(株)

• 有田 幸司

  Necエレクトロニクス

• 吉川 公麿

  広島大学:産業総合研究所

• 吉川 公磨

  ULSIデバイス開発研究所

• 本山 幸一

  Necエレクトロニクス

• 横川 慎二

  NECエレクトロニクス

• 上野 和良

  Nec・ulsiデバイス開発研究所

• 隣 真一

  Nec Ulsiデバイス開研

• 占部 耕児

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 田桑 哲也

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 吉川 公麿

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 菊田 邦子

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 鈴木 三惠子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 角原 由美

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 土屋 秀昭

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 戸原 誠人

  NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 川原 尚由

  NECエレクトロニクス(株)

• 横川 慎二

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 横川 慎二

  Necエレクトロニクス株式会社

• 横川 慎二

  電気通信大学

• 竹脇 利至

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 鈴木 三恵子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 豊嶋 宏徳

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 土屋 楽章

  NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 泰地 稔二

  NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 恒成 欣嗣

  NEC

• 吉川 公磨

  NEC

• 黒川 哲也

  Necエレクトロニクス株式会社先端テスト評価技術事業部

• 隣 真一

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 菊田 邦子

  Nec Ulsi デバイス開発研究所

• 恒成 欣嗣

  日本電気ULSIデバイス開発研究所高集積技術開発部

• 上野 和良

  日本電気ULSIデバイス開発 研究所高集積技術開発部

• 大音 光市

  日本電気ULSIデバイス開発研究所高集積技術開発部

• Kikkawa Takamaro

  Millenium Research For Advanced Information Technology (mirai)-asrc Aist

• 角原 由美

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 土屋 秀昭

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 川原 尚由

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 三浦 幸男

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 宇佐美 達矢

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 小林 千香子

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 永野 修次

  大陽日酸株式会社

• 大音 光市

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 清水 秀治

  大陽日酸株式会社

• 加田 武史

  株式会社トリケミカル研究所

• 大平 達也

  株式会社トリケミカル研究所

• 藤井 邦宏

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 泰地 稔二

  ルネサスエレクトロニクス生産本部

• 清水 秀治

  東京大学大学院工学系研究科:大陽日酸株式会社

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著作論文

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• ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
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