本山 幸一 | NECエレクトロニクス(株)
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概要
関連著者
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本山 幸一
NECエレクトロニクス(株)
-
本山 幸一
Necエレクトロニクス
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藤井 邦宏
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK
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有田 幸司
Necエレクトロニクス
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藤井 邦宏
Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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田上 政由
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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久米 一平
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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川原 潤
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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肱岡 健一郎
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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泰地 稔二
NECELプロセス技術事業部
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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関根 誠
NECエレクトロニクス株式会社
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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横川 慎二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
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大音 光市
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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東 和幸
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター高性能CMOSデバイス開発部
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山口 人美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター高性能CMOSデバイス開発部
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尾本 誠一
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部
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坂田 敦子
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部
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大音 光市
Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部
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金子 尚史
(株)東芝セミコンダクター社
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宇佐美 達矢
NECエレクトロニクス(株)
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黒川 哲也
NECエレクトロニクス(株)
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尾本 誠一
(株)東芝セミコンダクター社
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山下 創一
(株)東芝セミコンダクター社
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羽多野 正亮
(株)東芝セミコンダクター社
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和田 純一
(株)東芝セミコンダクター社
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用正 武
(株)東芝セミコンダクター社
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今水 健太郎
(株)東芝セミコンダクター社
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山田 雅基
(株)東芝セミコンダクター社
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蓮沼 正彦
(株)東芝セミコンダクター社
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高橋 新吾
ソニー(株)
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山田 敦彦
ソニー(株)
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長谷川 利昭
ソニー(株)
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北野 友久
NECエレクトロニクス(株)
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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坂田 敦子
(株)東芝セミコンダクター社
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北野 友久
Necエレクトロニクス株式会社
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山口 人美
(株)東芝セミコンダクター社
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田辺 昭
Necエレクトロニクス(株)
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東 和幸
(株)東芝セミコンダクター社
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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深井 利憲
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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宇佐美 達矢
Necエレクトロニクス株式会社
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北野 友久
NEC Electronics Corporation
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横川 慎二
NECエレクトロニクス
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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川原 潤
Necエレクトロニクス
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鈴木 三惠子
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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角原 由美
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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土屋 秀昭
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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戸原 誠人
NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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北野 友久
日本電気(株)
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス
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長瀬 寛和
NECエレクトロニクス
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北尾 良平
NECエレクトロニクス
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金子 尚史
(株)東芝 Ul研
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田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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川原 尚由
NECエレクトロニクス(株)
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深井 利憲
Necエレクトロニクス
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横川 慎二
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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横川 慎二
Necエレクトロニクス株式会社
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横川 慎二
電気通信大学
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菊田 邦子
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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竹脇 利至
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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鈴木 三恵子
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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豊嶋 宏徳
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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土屋 楽章
NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部
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泰地 稔二
NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部
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田辺 昭
Necエレクトロニクス
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黒川 哲也
Necエレクトロニクス株式会社先端テスト評価技術事業部
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
青山学院大学電気電子工学科
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久米 一平
Necエレクトロニクス
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角原 由美
Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部
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坂田 敦子
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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土屋 秀昭
Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部
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川原 尚由
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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久米 一平
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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泰地 稔二
ルネサスエレクトロニクス生産本部
著作論文
- TiバリアメタルによるCu配線信頼性向上
- Low-k/Cu デュアルダマシンコンタクトによる40nm MOSFET高周波性能向上
- 微細銅配線において車載信頼性を実現するための新抵抗率評価手法(配線・実装技術と関連材料技術)