北野 友久 | Necエレクトロニクス株式会社
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概要
関連著者
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北野 友久
Necエレクトロニクス株式会社
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北野 友久
NEC Electronics Corporation
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北野 友久
日本電気(株)
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田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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田上 政由
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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北野 友久
NECエレクトロニクス(株)
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成瀬 宏
東芝株式会社
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成瀬 宏
東芝
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中村 典生
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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中村 直文
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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関根 誠
NECエレクトロニクス株式会社
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松永 範昭
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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宮島 秀史
(株)東芝セミコンダクター社
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松永 範昭
東芝
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猪原 正弘
東芝
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東 和幸
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター高性能CMOSデバイス開発部
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山口 人美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター高性能CMOSデバイス開発部
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尾本 誠一
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部
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坂田 敦子
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部
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金子 尚史
(株)東芝セミコンダクター社
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宇佐美 達矢
NECエレクトロニクス(株)
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側瀬 聡文
東芝株式会社
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尾本 誠一
(株)東芝セミコンダクター社
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山下 創一
(株)東芝セミコンダクター社
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羽多野 正亮
(株)東芝セミコンダクター社
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和田 純一
(株)東芝セミコンダクター社
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用正 武
(株)東芝セミコンダクター社
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今水 健太郎
(株)東芝セミコンダクター社
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山田 雅基
(株)東芝セミコンダクター社
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蓮沼 正彦
(株)東芝セミコンダクター社
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高橋 新吾
ソニー(株)
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山田 敦彦
ソニー(株)
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長谷川 利昭
ソニー(株)
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本山 幸一
NECエレクトロニクス(株)
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中山 武雄
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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坂田 敦子
(株)東芝セミコンダクター社
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小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岩本 敏幸
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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中原 寧
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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山口 人美
(株)東芝セミコンダクター社
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香川 恵永
ソニー株式会社
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榎本 容幸
ソニー株式会社
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東 篤志
東芝セミコンダクター社
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佐々木 俊行
(株)東芝セミコンダクター社
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青田 正司
東芝セミコンダクター社 システムLSI技術開発統括部
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東 和幸
(株)東芝セミコンダクター社
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佐々木 俊行
東芝
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犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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青田 正司
東芝
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岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
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中嶋 一明
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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犬宮 誠治
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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長谷川 英司
Nec Electronics Corporation
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本山 幸一
Necエレクトロニクス
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
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宇佐美 達矢
Necエレクトロニクス株式会社
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渡邊 桂
東芝株式会社
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亀嶋 隆季
ソニー株式会社
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増田 秀顕
東芝株式会社
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島田 美代子
東芝株式会社
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中村 直文
東芝株式会社
-
宮島 秀史
東芝株式会社
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長友 浩二
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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長谷川 俊介
東芝
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北村 陽介
東芝
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高畑 和宏
東芝
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岡本 浩樹
東芝
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宮下 桂
東芝
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石田 達也
東芝
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福島 崇
東芝
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原川 秀明
東芝
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石塚 竜嗣
東芝
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小向 敏章
東芝
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長友 浩二
東芝
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三本木 省次
東芝
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中塚 圭祐
東芝
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西郡 正人
東芝
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野町 映子
東芝
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小川 竜二
東芝
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岡本 晋太郎
東芝
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岡野 公俊
東芝
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沖 知普
東芝
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小野田 裕之
東芝
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佐竹 正城
東芝
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鈴木 陽子
東芝
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内海 邦明
東芝
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渡部 忠兆
東芝
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吉水 康人
東芝
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平井 友洋
NEC Electronics Corporation
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相澤 宏一
NEC Electronics Corporation
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岩本 敏幸
NEC Electronics Corporation
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刈谷 奈由太
NEC Electronics Corporation
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村松 諭
NEC Electronics Corporation
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永原 誠司
NEC Electronics Corporation
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中原 寧
NEC Electronics Corporation
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岡田 紀雄
NEC Electronics Corporation
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鈴木 達也
NEC Electronics Corporation
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田上 政由
NEC Electronics Corporation
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竹田 和浩
NEC Electronics Corporation
-
田中 聖康
NEC Electronics Corporation
-
谷口 謙介
NEC Electronics Corporation
-
富永 誠
NEC Electronics Corporation
-
筒井 元
NEC Electronics Corporation
-
渡辺 普
NEC Electronics Corporation
-
後藤 啓郎
NEC Electronics Corporation
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中村 典生
NEC Electronics Corporation
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東 篤志
東芝
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松岡 史倫
東芝
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相澤 宏一
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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渡部 忠兆
株式会社東芝半導体研究開発センター
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犬宮 誠治
東芝
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金子 尚史
(株)東芝 Ul研
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堀川 貢弘
日本電気(株)
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岡田 紀雄
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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中山 武雄
東芝
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岡澤 武
NEC
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石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
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久保田 大志
NEC ULSIデバイス開発研究所
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村松 諭
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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小島 健嗣
東芝
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堀川 貢弘
日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所
-
三本木 省二
東芝
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久保田 大志
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
-
村松 諭
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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児玉 典昭
日本電気(株)ULSIメモリ事業部
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岡澤 武
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
-
岩本 俊幸
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
-
中原 寧
Necエレクトロニクス
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坂田 敦子
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
西郡 正人
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
著作論文
- 多層銅配線とハイブリッドLow-k構造(porous-PAr/porous-SiOC(k=2.3/2.3)を用いた密着性の研究と密着性エネルギーの改善(配線・実装技術と関連材料技術)
- TiバリアメタルによるCu配線信頼性向上
- 最先端リソグラフィー技術と Gate-first MG/HK プロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代 CMOS Platform Technology
- フラッシュメモリー過剰消去メカニズムの解析 : スケーリング則に対する新しい制約