犬宮 誠治 | (株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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概要
関連著者
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犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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犬宮 誠治
東芝
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
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東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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徳島大学外科
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研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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半導体理工学センター(STARC)
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東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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東芝 セミコンダクター社
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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松尾 浩司
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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赤坂 泰志
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尾本 誠一
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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小澤 良夫
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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齋藤 友博
東芝 セミコンダクター社
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齋藤 友博
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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中嶋 一明
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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松尾 浩司
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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飯沼 俊彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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矢野 博之
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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佐々木 俊行
(株)東芝セミコンダクター社
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小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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八木下 淳史
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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村越 篤
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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赤坂 泰志
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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南幅 学
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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松井 之輝
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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HIEDA Katsuhiko
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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須黒 恭一
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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有門 経敏
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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奥村 勝弥
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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中嶋 一明
(株)東芝
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須黒 恭一
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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小山 正人
(株)東芝研究開発センター
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佐藤 基之
東芝 セミコンダクター社
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長友 浩二
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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福島 崇
東芝
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長友 浩二
東芝
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野町 映子
東芝
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小野田 裕之
東芝
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吉水 康人
東芝
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有門 経敏
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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奥村 勝弥
東京大学先端科学技術研究センター
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後藤 正和
(株)東芝セミコンダクター社
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辰村 光介
(株)東芝研究開発センター
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木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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佐々木 俊行
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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小澤 良夫
株式会社東芝
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福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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小野田 裕之
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
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青山 知憲
(株)東芝セミコンダクター社
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金子 明生
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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後藤 正和
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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齋藤 真澄
東芝研究開発センター
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辰村 光介
東芝研究開発センター
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木下 敦寛
東芝研究開発センター
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佐藤 基之
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部
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関根 克行
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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吉水 康人
(株)東芝セミコンダクター社
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市原 玲華
(株)東芝研究開発センター
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福島 崇
(株)東芝セミコンダクター社
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野町 映子
(株)東芝セミコンダクター社
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中村 典生
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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松下 大介
(株)東芝研究開発センター
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村岡 浩一
(株)東芝研究開発センター
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福井 大伸
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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加藤 弘一
(株)東芝研究開発センター新機能材料・デバイスラボラトリー
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松永 範昭
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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松永 範昭
東芝
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猪原 正弘
東芝
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山口 豪
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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中山 武雄
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岩本 敏幸
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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中原 寧
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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北野 友久
Necエレクトロニクス株式会社
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東 篤志
東芝セミコンダクター社
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松下 大介
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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村岡 浩一
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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村岡 浩一
(株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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齋藤 友博
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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八木下 淳史
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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中嶋 一明
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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犬宮 誠冶
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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松尾 浩司
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
飯沼 俊彦
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
村越 篤
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
赤坂 泰志
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
小澤 良夫
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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南幅 学
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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松井 之輝
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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尾本 誠一
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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矢野 博之
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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HIEDA Katsuhiko
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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綱島 祥隆
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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須黒 恭一
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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有門 経敏
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
奥村 勝弥
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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関根 克行
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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福井 大伸
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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高柳 万里子
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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青田 正司
東芝セミコンダクター社 システムLSI技術開発統括部
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佐々木 俊行
東芝
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中崎 靖
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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中崎 靖
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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青田 正司
東芝
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岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
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中嶋 一明
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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長谷川 英司
Nec Electronics Corporation
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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綱島 祥隆
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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成瀬 宏
東芝株式会社
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西山 彰
(株)東芝研究開発センター
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丹羽 祥子
(株)東芝
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鎌田 善己
(株)東芝
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長谷川 俊介
東芝
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北村 陽介
東芝
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高畑 和宏
東芝
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岡本 浩樹
東芝
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宮下 桂
東芝
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石田 達也
東芝
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原川 秀明
東芝
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石塚 竜嗣
東芝
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小向 敏章
東芝
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三本木 省次
東芝
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中塚 圭祐
東芝
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西郡 正人
東芝
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小川 竜二
東芝
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岡本 晋太郎
東芝
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岡野 公俊
東芝
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沖 知普
東芝
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佐竹 正城
東芝
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鈴木 陽子
東芝
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内海 邦明
東芝
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渡部 忠兆
東芝
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平井 友洋
NEC Electronics Corporation
-
相澤 宏一
NEC Electronics Corporation
-
岩本 敏幸
NEC Electronics Corporation
-
刈谷 奈由太
NEC Electronics Corporation
-
村松 諭
NEC Electronics Corporation
-
永原 誠司
NEC Electronics Corporation
-
中原 寧
NEC Electronics Corporation
-
岡田 紀雄
NEC Electronics Corporation
-
鈴木 達也
NEC Electronics Corporation
-
田上 政由
NEC Electronics Corporation
-
竹田 和浩
NEC Electronics Corporation
-
田中 聖康
NEC Electronics Corporation
-
谷口 謙介
NEC Electronics Corporation
-
富永 誠
NEC Electronics Corporation
-
筒井 元
NEC Electronics Corporation
-
渡辺 普
NEC Electronics Corporation
-
北野 友久
NEC Electronics Corporation
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後藤 啓郎
NEC Electronics Corporation
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中村 典生
NEC Electronics Corporation
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鎌田 善己
東芝
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東 篤志
東芝
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松岡 史倫
東芝
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平野 泉
(株)東芝研究開発センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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相澤 宏一
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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渡部 忠兆
株式会社東芝半導体研究開発センター
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石原 貴光
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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犬宮 誠治
セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝
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中嶋 一明
セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝
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金子 明生
セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝
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木下 敦寛
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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北野 友久
日本電気(株)
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成瀬 宏
東芝
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関根 克行
東芝セミコンダクター社
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西山 彰
東芝 研究開発センター
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小山 正人
東芝 研究開発センター
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石原 貴光
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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加藤 弘一
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
岡田 紀雄
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
中山 武雄
東芝
-
佐藤 基之
東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発推進センター
-
江口 和弘
東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発推進センター
著作論文
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD-2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- プラズマ窒化プロセスを用いた極薄ゲート絶縁膜形成における反応メカニズムの考察とさらなる薄膜化の検討
- 次世代極薄ゲート酸窒化膜形成技術
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 最先端リソグラフィー技術と Gate-first MG/HK プロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代 CMOS Platform Technology
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- LaまたはAl添加によるHfSiON/SiO_2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
- プラズマ窒化を用いた低消費電力CMOS用高移動度・低リーク電流Poly-Si/HfSiONゲートスタックの形成(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- TEOSとtert-butoxideを用いたZr/Hfシリケイト薄膜の熱CVD
- 22nm世代システムLSIに向けたhigh-k/メタルゲートデバイス技術