石原 貴光 | (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

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関連著者

• 石原 貴光

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 松沢 一也

  東芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 間 博顕

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 松沢 一也

  (株)東芝先端半導体デバイス研究所

• 間 博顕

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 後藤 正和

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 松下 大介

  (株)東芝研究開発センター

• 加藤 弘一

  (株)東芝研究開発センター新機能材料・デバイスラボラトリー

• 後藤 正和

  セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝

• 後藤 正和

  徳島大学外科

• 川中 繁

  セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝

• 松下 大介

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 犬宮 誠治

  (株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター

• 中嶋 一明

  東芝

• 中嶋 一明

  東芝 セミコンダクター社

• 犬宮 誠治

  東芝

• 辰村 光介

  研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝

• 石原 貴光

  研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝

• 犬宮 誠治

  セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝

• 中嶋 一明

  セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝

• 金子 明生

  セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝

• 木下 敦寛

  研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝

• 木下 敦寛

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 後藤 正和

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ

• 加藤 弘一

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

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著作論文

• LaまたはAl添加によるHfSiON/SiO_2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 第一原理計算に基づいた包括的移動度モデリングとMOSFET界面エンジニアリングへの適用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• Flashのデバイス・シミュレーション技術
• Flashのデバイス・シミュレーション技術
• MOSFETにおける高精度移動度モデルの構築
• フラッシュメモリのプログラミング特性予測技術

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