辰村 光介 | 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝

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概要

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関連著者

• 辰村 光介

  研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝

• 川中 繁

  セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝

• 後藤 正和

  セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝

• 後藤 正和

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ

• 後藤 正和

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 後藤 正和

  徳島大学外科

• 犬宮 誠治

  (株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター

• 中嶋 一明

  東芝

• 中嶋 一明

  東芝 セミコンダクター社

• 犬宮 誠治

  東芝

• 辰村 光介

  (株)東芝 研究開発センター

• 辰村 光介

  (株)東芝研究開発センター

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 小山 正人

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 後藤 正和

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 川中 繁

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 小山 正人

  (株)東芝研究開発センター

• 長友 浩二

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 長友 浩二

  東芝

• 市原 玲華

  (株)東芝研究開発センター

• 市原 玲華

  (株)東芝 研究開発センター

• 小山 正人

  (株)東芝

• 川中 繁

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 中嶋 一明

  (株)東芝

• 辰村 光介

  東芝研究開発センター

• 後藤 正和

  (株)東芝セミコンダクター社

• 木下 敦寛

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 後藤 正和

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 鈴木 正道

  (株)東芝 研究開発センター

• 佐々木 俊行

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 豊島 義明

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 上牟田 雄一

  半導体MIRAI-ASET

• 稲葉 聡

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 小野田 裕之

  (株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 東 篤志

  東芝セミコンダクター社

• 佐々木 俊行

  (株)東芝セミコンダクター社

• 青山 知憲

  (株)東芝セミコンダクター社

• 土屋 義規

  (株)東芝 研究開発センター

• 犬宮 誠治

  東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 楠 直樹

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 齋藤 真澄

  東芝研究開発センター

• 木下 敦寛

  東芝研究開発センター

• 小池 正浩

  (株)東芝研究開発センター

• 上牟田 雄一

  (株)東芝研究開発センター

• 福島 崇

  東芝

• 野町 映子

  東芝

• 小野田 裕之

  東芝

• 吉水 康人

  東芝

• 関根 克行

  東芝 セミコンダクター社

• 東 篤志

  東芝

• 吉水 康人

  (株)東芝セミコンダクター社

• 福島 崇

  (株)東芝セミコンダクター社

• 野町 映子

  (株)東芝セミコンダクター社

• 長友 浩二

  東芝セミコンダクター社

• 中嶋 一明

  東芝セミコンダクター社

• 関根 克行

  東芝セミコンダクター社

• 小山 正人

  東芝 研究開発センター

• 齋藤 真澄

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 齋藤 真澄

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 川澄 篤

  株式会社東芝

• 川澄 篤

  東芝セミコンダクター社

• 川中 繁

  東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 三谷 祐一郎

  東芝

• 三谷 祐一郎

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 平野 泉

  (株)東芝研究開発センター

• 石原 貴光

  研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝

• 犬宮 誠治

  セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝

• 中嶋 一明

  セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝

• 金子 明生

  セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝

• 木下 敦寛

  研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝

• 石原 貴光

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 川澄 篤

  東芝セミコンダクター&ストレージ社半導体研究開発センター先端ワイヤレス・アナログ技術開発部

• 川中 繁

  東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター高性能cmosデバイス技術開発部

• 平野 泉

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 三谷 祐一郎

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 辰村 光介

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 陳 杰智

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

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著作論文

• 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• LaまたはAl添加によるHfSiON/SiO_2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 22nm世代システムLSIに向けたhigh-k/メタルゲートデバイス技術
• 超低消費電力LSI向けのSiN電荷捕獲層を有する新型V_自己調整MISFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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