辰村 光介 | 東芝研究開発センター
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概要
関連著者
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川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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辰村 光介
東芝研究開発センター
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辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
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後藤 正和
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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後藤 正和
徳島大学外科
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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後藤 正和
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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犬宮 誠治
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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齋藤 真澄
東芝研究開発センター
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木下 敦寛
東芝研究開発センター
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犬宮 誠治
東芝
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木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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川澄 篤
株式会社東芝
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川澄 篤
東芝セミコンダクター社
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川中 繁
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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川澄 篤
東芝セミコンダクター&ストレージ社半導体研究開発センター先端ワイヤレス・アナログ技術開発部
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川中 繁
東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター高性能cmosデバイス技術開発部
著作論文
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 超低消費電力LSI向けのSiN電荷捕獲層を有する新型V_自己調整MISFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))