楠 直樹 | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

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概要

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• 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部の論文著者

関連著者

• 楠 直樹

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 木下 敦寛

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 川中 繁

  セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 齋藤 真澄

  東芝研究開発センター

• 木下 敦寛

  東芝研究開発センター

• 齋藤 真澄

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 齋藤 真澄

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 後藤 正和

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 後藤 正和

  セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝

• 後藤 正和

  徳島大学外科

• 安武 信昭

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 稲葉 聡

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 青木 伸俊

  マイクロエレクトロニクス研

• 水島 一郎

  株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 犬宮 誠治

  (株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター

• 後藤 正和

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 川中 繁

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 犬宮 誠治

  東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 辰村 光介

  東芝研究開発センター

• 松沢 一也

  東芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 犬宮 誠治

  東芝

• 辰村 光介

  研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝

• 青木 伸俊

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 後藤 正和

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ

• 木下 敦寛

  東芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 八木下 淳史

  東芝セミコンダクター社

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ

• 安武 信昭

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 大内 和也

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 青木 伸俊

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 諸岡 哲

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 豊島 義明

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 東 篤志

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社

• 外園 明

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 東 篤志

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 石田 達也

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 大内 和也

  SoC研究開発センター

• 矢橋 勝典

  プロセス技術推進センター

• 森 伸二

  プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  プロセス技術推進センター

• 張 利

  (株)東芝研究開発センター

• 楠 直樹

  システムLSIデバイス技術開発部

• 川中 繁

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 諸岡 哲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 東 篤志

  東芝セミコンダクター社

• 青木 伸俊

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 青木 伸俊

  (株)東芝soc開発センター

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社

• 矢橋 勝典

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 古賀 淳二

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 東 篤志

  東芝

• 張 利

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 小池 三夫

  (株)東芝

• 安武 信昭

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 外園 明

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 小池 三夫

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 竹野 史郎

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 石田 達也

  (株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部

• 楠 直樹

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 竹野 史郎

  (株)東芝研究開発センター環境技術研究所

• 石田 達也

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 諸岡 哲

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

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著作論文

• 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 32nm世代以降に向けた高性能Two-step Recessed SiGe-S/D構造pMOSFET(シリコン関連材料の作製と評価)
• 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 不純物揺らぎが金属半導体接合の輸送に与える影響(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
• 不純物揺らぎが金属半導体接合の輸送に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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