古賀 淳二 | 東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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概要
関連著者
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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八木下 淳史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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内田 建
東芝研究開発センター (株)東芝
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内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
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古賀 淳二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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木下 敦寛
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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窪田 壮男
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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松尾 浩司
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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内田 建
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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岡野 王俊
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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大村 光弘
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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八木下 淳史
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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木下 敦寛
東芝研究開発センター
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金子 明生
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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八木下 淳史
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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矢橋 勝典
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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窪田 壮男
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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大村 光広
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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松尾 浩司
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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岡野 王俊
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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川崎 博久
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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泉田 貴士
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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金村 貴永
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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青木 伸俊
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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稲葉 聡
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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石丸 一成
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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豊島 義明
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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須黒 恭一
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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江口 和弘
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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川崎 博久
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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土屋 義則
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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青木 伸俊
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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金村 貴永
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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泉田 貴士
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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古賀 淳二
東芝
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安武 信昭
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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外園 明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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高木 信一
東京大学
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張 利
(株)東芝研究開発センター
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
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入沢 寿史
半導体MIRAI-ASET
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平下 紀夫
半導体MIRAI-ASET
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手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
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杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
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杉山 直治
MIRAI-ASET
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高木 信一
MIRAI-産総研ASRC
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手塚 勉
MIRAI-ASET
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平下 紀夫
MIRAI-ASET
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豊田 英二
東芝セラミックス株式会社
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入沢 寿史
MIRAI-ASET
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沼田 敏典
MIRAI-ASET
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臼田 宏治
MIRAI-ASET
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古賀 淳二
MIRAI-ASET
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宮村 佳児
コマツ電子金属
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田邊 顕人
MIRAI-ASET
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田邊 顕人
半導体MIRAI-ASET
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吉木 昌彦
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社
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金村 貴永
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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土屋 義規
(株)東芝 研究開発センター
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楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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齋藤 真澄
東芝研究開発センター
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木下 敦寛
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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小山 正人
(株)東芝研究開発センター
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西山 彰
(株)東芝研究開発センター
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古賀 淳二
東芝 研究開発センター
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大場 竜二
東芝研究開発センター
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杉山 直治
芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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西山 彰
東芝 研究開発センター
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小山 正人
東芝 研究開発センター
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沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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張 利
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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小池 三夫
(株)東芝
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安武 信昭
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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外園 明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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小池 三夫
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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八木下 淳史
東芝セミコンダクター社
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齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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吉木 昌彦
(株)東芝 研究開発センター
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杉山 直治
東芝研究開発センターLSI基盤技術研究所
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内田 健
東芝研究開発センターLSI基盤技術研究所
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齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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金村 貴永
半導体研究開発センター:株式会社東芝
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竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
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木下 敦寛
東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
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高木 信一
東大 大学院工学系研究科
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小山 正人
(株)東芝
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大場 竜二
(株)東芝セミコンダクター社
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大場 竜二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
-
西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
著作論文
- 高性能・微細ひずみSOI-MOSFET
- 不純物偏析Schottkyソース/ドレインを用いた高性能FinFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET
- 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 不純物偏析ショットキー接合を用いた高駆動電流トランジスタの開発
- 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 不純物偏析ショットキー接合トランジスタ
- 二重Si量子ドットメモリにおける量子ドット径の微小化と不揮発性の実証
- 0.7nmの極薄膜SOIトランジスタ技術 (特集 イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)