不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
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概要
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高性能なショットキー・ソース/ドレインMOSFET(Schottky Barrier Transistor)を実現するため,不純物偏析(DS:Dopant Segregation)技術を適用することで,ショットキー障壁高さを下げるというアプローチを提案し,その効果を実験的に検証した.既存のCoSi_2プロセスによって障壁高さを変調した接合をソース/ドレインに持つショットキートランジスタを作製した結果,従来型MOSFETと同等の駆動電流を達成しつつ,より優れた短チャンネル効果耐性を示した.これらの結果から,DSショットキー接合は次世代MOSFETのソースノドレイン電極に有用であると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-08-13
著者
-
内田 建
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
古賀 淳二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
八木下 淳史
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
内田 建
東芝研究開発センター (株)東芝
-
木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
-
木下 敦寛
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
-
土屋 義則
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
八木下 淳史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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