高不純物濃度のETSOI (Extremely-thin SOI)拡散層における移動度の異常な振る舞い(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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本論文は、高不純物濃度のETSOI拡散層におけるキャリア輸送についてはじめて調べたものである。高濃度のETSOI拡散層における電子移動度は、バルクSi中における電子移動度とは大きく異なっていることが本研究により明らかになった。SOI膜厚が5nmから10nmであるETSOI拡散層において、電子移動度はバルク移動度と比較して上昇するということが観測された。一方、SOI膜厚が2nm程度のとき、電子移動度は不純物濃度の増加に伴い著しく減少するということが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2011-01-24
著者
-
小田 俊理
東工大工
-
小田 俊理
東工大量子ナノ研:sorst-jst
-
小田 俊理
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
ODA Shunri
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
小寺 哲夫
東大理
-
内田 建
東京工業大学
-
高橋 綱己
東京工業大学電子物理工学専攻
-
小寺 哲夫
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
-
Oda S
Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn
-
Oda S
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Oda Shunri
Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology
-
Oda Shunri
Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut
-
Oda Shunri
The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology
-
小田 俊理
東京工業大学総合理工学研究科
-
角谷 直哉
東京工業大学電子物理工学専攻
-
陳 君〓
東京工業大学電子物理工学専攻
-
小寺 哲夫
東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST
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