10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETを作成し、高性能動作、閾値調整、ばらつきの抑制、自己発熱効果の抑制が可能であることを実験的に示した。ソース/ドレインの最適化とStress memorization technique (SMT)によって、寄生抵抗の低減と移動度向上を実現した。また、SMTによって高電界キャリア速度も向上するため、I_<on>=1mA/μm (I_<off>=100nA/μm)という高いオン電流を達成した。一方、薄BOX上にトライゲートナノワイヤトランジスタを作成し、基板バイアスによって十分に閾値調整が可能であることを実証した。ナノワイヤ幅が小さくなると基板バイアス効果は小さくなるが、ナノワイヤ高さを低くすることによって基板バイアス係数は改善する。また、基板バイアスによって消費電力と性能の動的な制御が可能であることを示した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-07-26
著者
-
沼田 敏典
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
内田 建
東京工業大学
-
内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
-
齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
太田 健介
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
沼田 敏典
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
田中 千加
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
太田 健介
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
田中 千加
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
内田 健
東京工業大学
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