10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整
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概要
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- 2012-07-26
著者
-
沼田 敏典
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
太田 健介
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
沼田 敏典
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
田中 千加
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
-
太田 健介
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
田中 千加
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
内田 健
東京工業大学
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