齋藤 真澄 | (株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
齋藤 真澄
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
-
沼田 敏典
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
太田 健介
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
太田 健介
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
田中 千加
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
内田 建
東京工業大学
-
内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
-
沼田 敏典
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
田中 千加
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
内田 健
東京工業大学
-
内田 建
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
中林 幸雄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
中林 幸雄
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
東芝
-
小林 茂樹
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
-
小林 茂樹
東芝研究開発センター
-
小林 茂樹
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
沼田 敏典
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
著作論文
- シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- High-k及びSiO_2ゲート絶縁膜を有するMOSFETにおける低電界移動度と高電界キャリア速度の関係(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- トライゲートナノワイヤMOSFETの短チャネル移動度解析とStress Memorization Technique (SMT)による性能向上(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- トライゲートナノワイヤMOSFETにおける自己発熱効果の系統的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- トライゲートナノワイヤMOSFETにおける自己発熱効果の系統的理解
- シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整