小林 茂樹 | (株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー

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• 内田 建

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  東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構

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• 齋藤 真澄

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著作論文

• シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性

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