齋藤 真澄 | (株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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概要
関連著者
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齋藤 真澄
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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齋藤 真澄
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齋藤 真澄
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東京工業大学大学院 理工学研究科電子物理工学専攻
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小林 茂樹
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
著作論文
- シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- High-κゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 : ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- High-κゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 : ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 10nm以下の極薄膜ダブルゲートSOI p-FETにおける高移動度の実証 : 軽い正孔バンドの役割と一軸性応力エンジニアリングとの整合性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- シリコン(100)及び(110)面上CMOSFETのひずみによる高電界キャリア速度変調
- 歪み技術による (100) および (110) トランジスタの性能向上戦略
- High-k及びSiO_2ゲート絶縁膜を有するMOSFETにおける低電界移動度と高電界キャリア速度の関係(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- トライゲートナノワイヤMOSFETの短チャネル移動度解析とStress Memorization Technique (SMT)による性能向上(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- トライゲートナノワイヤMOSFETにおける自己発熱効果の系統的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 直径10nmのシリコンナノワイヤを備えた超低消費電力LSI用トランジスタ
- トライゲートナノワイヤMOSFETにおける自己発熱効果の系統的理解
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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