齋藤 真澄 | 東芝研究開発センター
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概要
関連著者
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齋藤 真澄
東芝研究開発センター
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齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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内田 建
東京工業大学
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内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
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齋藤 真澄
東芝
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齋藤 真澄
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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木下 敦寛
東芝研究開発センター
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内田 建
東芝研究開発センター (株)東芝
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内田 建
東芝研究開発センター
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木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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小林 茂樹
東芝研究開発センター
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齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
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後藤 正和
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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後藤 正和
徳島大学外科
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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後藤 正和
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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犬宮 誠治
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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辰村 光介
東芝研究開発センター
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犬宮 誠治
東芝
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辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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安武 信昭
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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内田 建
東京工業大学大学院 理工学研究科電子物理工学専攻
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外園 明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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張 利
(株)東芝研究開発センター
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青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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張 利
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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小池 三夫
(株)東芝
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安武 信昭
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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外園 明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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小池 三夫
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
著作論文
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- High-κゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 : ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- High-κゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 : ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 10nm以下の極薄膜ダブルゲートSOI p-FETにおける高移動度の実証 : 軽い正孔バンドの役割と一軸性応力エンジニアリングとの整合性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 歪み技術による (100) および (110) トランジスタの性能向上戦略