齋藤 真澄 | 東芝研究開発センター
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概要
関連著者
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齋藤 真澄
東芝研究開発センター
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齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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内田 建
東京工業大学
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内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
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齋藤 真澄
東芝
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齋藤 真澄
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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木下 敦寛
東芝研究開発センター
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内田 建
東芝研究開発センター (株)東芝
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内田 建
東芝研究開発センター
著作論文
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- High-κゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 : ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- High-κゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 : ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 10nm以下の極薄膜ダブルゲートSOI p-FETにおける高移動度の実証 : 軽い正孔バンドの役割と一軸性応力エンジニアリングとの整合性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 歪み技術による (100) および (110) トランジスタの性能向上戦略