安武 信昭 | (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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概要
関連著者
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安武 信昭
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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安武 信昭
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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石内 秀美
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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清水 敬
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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外園 明
(株)東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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馬越 俊之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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大村 光弘
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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山田 浩玲
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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冨田 寛
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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冨田 寛
(株)東芝セミコンダクター社
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社
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藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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松下 大介
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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大村 光弘
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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村岡 浩一
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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村岡 浩一
(株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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小島 健嗣
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
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渡辺 由美
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(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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佐々木 俊行
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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玉置 直樹
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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東 篤志
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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東 篤志
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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吉村 尚郎
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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矢橋 勝典
プロセス技術推進センター
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水島 一郎
プロセス技術推進センター
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張 利
(株)東芝研究開発センター
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楠 直樹
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川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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東 篤志
東芝セミコンダクター社
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加藤 善光
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馬越 俊幸
(株)東芝 Ulsi研究所
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社
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齋藤 真澄
東芝研究開発センター
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木下 敦寛
東芝研究開発センター
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矢橋 勝典
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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青木 伸俊
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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木下 敦寛
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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東 篤志
東芝
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木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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張 利
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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小池 三夫
(株)東芝
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安武 信昭
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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外園 明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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小池 三夫
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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外園 明
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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楠 直樹
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
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石田 達也
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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張 利
東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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齋藤 真澄
東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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安武 信昭
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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楠 直樹
東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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小池 三夫
東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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竹野 史郎
東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
著作論文
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 14nmゲートCMOS技術 : poly-SiGe ゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上
- 32nm世代以降に向けた高性能Two-step Recessed SiGe-S/D構造pMOSFET(シリコン関連材料の作製と評価)
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- 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析