走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析
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概要
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- 2010-01-22
著者
-
安武 信昭
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
青木 伸俊
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
木下 敦寛
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
外園 明
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
-
張 利
東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
-
安武 信昭
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
楠 直樹
東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
-
小池 三夫
東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
-
竹野 史郎
東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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