ED2000-131 / SDM2000-113 / ICD-2000-67 シリコンの表面マイグレーションを用いたSON(Silicon on Nothing)構造の形成技術
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概要
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素子の高速化・低消費電力化において、SOI(Silicon on Insulator)構造を凌ぐ特性が期待されるSON(Silicon on Nothing)構造を実現する技術として、シリコン基板内部に厚さ1ミクロン以下で、かつミリメートルサイズの面積を有する平板状の空洞(Empty Space in Silicon)を形成する新しい技術を開発した。サブミクロンサイズの開孔径の溝表面でのシリコン原子のマイグレーションを利用して形状を変形する技術である。形成したSON構造は、物理分析によりLSIに応用するのに十分な結晶特性を有することがわかった。本技術は、SON形成技術としてSOIの代替技術になり得るとともに、新しい微細加工技術の一つとして幅広い応用が期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-18
著者
-
佐藤 力
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
佐藤 力
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
-
水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
(株)東芝 研究開発センター
-
綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
-
綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
-
綱島 祥隆
(株)東芝
-
水島 一郎
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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