ESS技術を用いたSON-MOSFETの作成

概要

論文の詳細を見る
SOI(Silicon on Insulator)構造を凌ぐ特性が期待されるSON(Slicon on Nothing)構造上への素子の試作に成功し、SON構造の有効性を実証した。SON構造の形成には、独自に開発したESS(Empty Space in Silicon)技術を用いている。今回試作したSON構造上のトランジスタにおいて通常のバルクトランジスタと同等の特性が得られたことから、ESS技術を用いたSON構造がLSIへの応用に全く問題ないことが確認できた。また、SON構造上に作製したpn接合において、SON構造による接合容量の低減効果を実証し、トランジスタ動作の高速化が実現できることを明らかにした。本技術は、従来のSOI技術では実現困難であった構造、例えばLSIの一部のみをSOI(SON)にしたような構造も容易に実現できることから、トレンチDRAM混載デバイスを初めとした、様々なシステムLSI用途向けの新しい基板構造として広く用いられることが期待される。
社団法人電子情報通信学会の論文
2002-01-15