高アスペクト比コンタクトホール加工における SiO_2/Si_3N_4 選択エッチング特性

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概要

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微細で高アスペクト比コンタクトホール加工におけるSiO_2エッチング速度とその穴底におけるSi_3N_4エッチング速度の寸法依存性を確認し、これが開口径によらずアスペクト比により一律に説明がつくことを確認したアスペクト比に応じてエッチング速度が変化するのは電流量の変化に起因していると考えられる。一方、穴の底のSi_3N_4表面保護膜はアスペクト比が高いほどフッ素含有量が増え、スパッタリング耐性の弱い膜となっている。このことがアスペクト比の高いところでもSi_3N_4膜がエッチングされる原因と考える。酸素を微量添加することでSiO_2エッチング速度の寸法依存性は解消される。これは酸素添加によりイオン電流量が高アスペクト比でも低下しにくくなることが一因と考える。酸素添加に伴いSi_3N_4エッチング速度も上昇する。選択比低下を防ぐには穴の底にC含有量の高い粒子を導くことが必要と考える。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-10-20

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