コンパクトモデルの進化 : 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
LSI設計の基盤となるトランジスタのコンパクトモデルが代わりつつある。ここ10年間はCMOSデジタル回路に最適化されたVthベースのBSIM (Berkeley Short-Channel IGFET Model)が業界標準だったが、最近はアナログ回路やRF回路もCMOSで作る機会が増え,新しいモデルが必要になった。HiSIMを代表とする表面ポテンシャルモデルが、その期待に答えるべく脚光を浴びているが、どのような特徴やメリットがあるかについて御紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-07-10
著者
-
三浦 道子
広島大学HiSIM研究センター
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
大黒 達也
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社
-
三浦 道子
広島大学
-
三浦 道子
広島大学hisim研究センター:広島大学大学院先端物質科学研究科
関連論文
- 回路シミュレーション用IGBTモデル"HiSIM-IGBT"(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- MOSFETコンパクトモデルと今後の展開 : バルクMOSFETからマルチゲートMOSFETに向けて(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
- ESS技術を用いたSON-MOSFETの作成
- MOSFETモデル評価用テスト回路(2) : 入力電圧の微少変化の増幅
- MOSFETモデル評価用テスト回路(1) : しきい値電圧付近の電流領域の評価
- SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
- Mixed Signal CMOS用HfSiONゲート絶縁膜の最適化(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- Mixed Signal CMOS用HfSiONゲート絶縁膜の最適化(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- (110)シリコン基板上に形成した極薄酸化膜CMOSの電気的特性
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- 0.1μm以下MOSFETの高性能化検討(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- CMOS vs. 化合物・バイポーラ : Gb/s, GHz領域
- CMOS vs. 化合物・バイポーラ : Gb/s, GHz領域
- CMOS vs. 化合物・バイポーラ : Gb/s, GHz領域
- マイクロ波Si系半導体素子・回路の技術動向及び今後の展望について
- CMOSにおけるプロセスダメージとアナログ特性の関係
- CMOSにおけるプロセスダメージとアナログ特性の関係
- CMOSにおけるプロセスダメージとアナログ特性の関係
- 0.1μm領域CMOSFETに於ける素子の電気的特性の基板不純物濃度依存性
- p-i-nフォトダイオードの高周波応答特性のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- p-i-nフォトダイオードの高周波応答特性のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 1/f noiseのプロセス依存性 : 高性能アナログ回路の実現に向けて(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 1/f noiseのプロセス依存性 : 高性能アナログ回路の実現に向けて(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- HV-MOSFETのオーバーラップ領域における2次元効果のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- エピタキシャルチャネルMOSFETによるアナログ特性の改善
- MOSFET高周波等価回路についての検証
- MOSFET高周波等価回路についての検証
- Sub-100nm MOSFETにおけるソース/ドレイン電荷分配に対する弾道輸送キャリアの寄与
- Sub-100nm MOSFETにおけるソース/ドレイン電荷分配に対する弾道輸送キャリアの寄与
- Yパラメタを用いたMOSFET高周波特性記述の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Yパラメタを用いたMOSFET高周波特性記述の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- デバイスモデルと回路シミュレーション
- MOSFETのスケーリングとアナログ/RF特性 : 微細MOSはアナログ/RFにとって味方なのか(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- MOSFETのスケーリングとアナログ/RF特性 : 微細MOSはアナログ/RFにとって味方なのか(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- コンパクトモデルの進化 : 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- コンパクトモデルの進化 : 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- SOI-MOSFETにおける基板浮遊効果のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- SOI-MOSFETにおける基板浮遊効果のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 高抵抗基板上に形成された高性能アナログ、デジタル混載デバイス
- 回路設計者のための先端MOSFETモデル : マイヤーモデルから表面ポテンシャルモデルまで
- 回路設計者のための先端MOSFETモデル : マイヤーモデルから表面ポテンシャルモデルまで
- 高画質CMOSイメージセンサの実現に有効な3次元デバイスシミュレータ
- デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解
- 転送ゲート負バイアス動作における黒沈み不良の解析(イメージセンサ,カメラ信号処理,画像評価関連技術,及び2013IISWとVLSIシンポジウムからの発表報告)