MOSFETのスケーリングとアナログ/RF特性 : 微細MOSはアナログ/RFにとって味方なのか(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
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概要
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MOSFETの微細化によってデジタル回路の高速化や高周波用回路を実現してきた。最近、特性向上のためにゲートの微細化だけでなく、ストレス印加による移動度向上、high-Kゲート絶縁膜によるゲートリークの抑制、メタルゲートによるゲート空乏化の改善も並行して検討されているが、これら新規技術がアナログ/RF特性に与える影響について御紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-10-15
著者
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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大黒 達也
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社
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