高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
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概要
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最近、ゲートリークを抑制するために高濃度窒化ゲート絶縁膜が提案されているが、今回、1/f noiseの窒素濃度依存性について考察した。その結果から、1999 ITRS road mapで要求されている1/f noiseを満たすための界面準位密度を明らかにすることができた。また、1/f noiseの温度変化から表面型チャネルPMOSの1/f noiseが、窒素濃度の増加に伴い、大きく劣化するのは、valence band内に界面準位密度の増加があることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-07-27
著者
-
高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
永野 剛之
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
藤原 実
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
高柳 万里子
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
清水 敬
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
百瀬 寿代
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
中村 新一
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
豊島 義明
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
清水 敬
プロセス技術推進センター
-
清水 敬
東芝セミコンダクター社システムlsi開発センター
-
豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
大黒 達也
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
百瀬 寿代
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
中村 新一
(株)東芝
-
永野 剛之
東芝セミコンダクター社
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社
-
清水 敬
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
高柳 万里子
東芝セミコンダクター社
-
百瀬 寿代
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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