ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
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概要
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MOSFETのスケーリングに伴いゲート絶縁膜の薄膜化が進み、要求膜厚は、今や2nm以下となっている。このような薄膜領域においては、従来のSiO_2(SiON)を用いた場合には、直接トンネル電流によるゲート漏れ電流(I_g)が大きな問題となる。この対策として、SiO_2より誘電率が高く、誘電率比分だけ厚い物理膜厚でSiO_2と同等の電気的膜厚が実現でき、また、厚い物理膜厚ゆえにI_gを抑制できるhigh-kゲート絶縁膜の実用化が待望されている。しかし、ここ2-3年の研究結果から、SiO_2とhigh-k膜の物性の違い等に起因した実用化上の課題、例えば、フラットバンドシフトによる閾値制御の困難さや移動度低下などが明らかになった。本パネル討論では、まず、high-kゲート絶縁膜CMOSFETを実用化するうえでの課題を整理した上で、課題への取り組みを、材料・プロセス・デバイス・回路技術夫々の立場から討論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-08-12
著者
-
高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
榎本 忠儀
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻
-
榎本 忠儀
中央大学理工学部
-
新居 浩二
ルネサステクノロジー
-
高柳 万里子
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
-
由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
佐藤 成生
富士通研究所
-
濱田 基嗣
東芝セミコンダクター社
-
西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
長谷 卓
日本電気システムデバイス研究所
-
由上 二郎
ルネサステクノロジ生産本部
-
西山 彰
東芝研究開発センター
-
佐藤 成生
富士通研究所先端cmos開発部
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
由上 二郎
ルネサス テクノロジ
-
新居 浩二
ルネサステクノロジ
-
榎本 忠儀
中央大学理工学研究所
-
榎本 忠儀
中央大学理工学部 情報工学科
-
西山 彰
東芝 研究開発センター
-
濱田 基嗣
東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
新井 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
高柳 万里子
東芝セミコンダクター社
-
榎本 忠儀
中央大学 大学院 理工学研究科 情報工学専攻
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