高速低電力GaAsディレイフリップフロップの設計、試作、評価
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概要
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0.25μm GaAs HJFET技術を用いて、ネガティブエッジ形ディレイフリップフロップ(D-FF)を設計・試作・評価した。本D-FFのチップサイズは592×662μm^2、活性領域面積は113×178μm^2である。電源電圧(V_dd)1.1Vのとき、本D-FFの最高動作周波数は7.15GHzであった。V_dd=1.1V、疑似ランダムレート7.15Gbps、パターン長(2^9-1)の入力信号を印加した時、エラーレート10^-9以下で動作することを確認した。V_dd=0.58Vのとき、最高動作周波数5GHz、消費電力1.93mWであった。5GHz動作で、1.93mW、は世界最小である。
- 1998-06-19
著者
-
榎本 忠儀
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻
-
佐藤 輝忠
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻
-
廣部 厚紀
中央大学
-
岩田 治也
中央大学
-
藤井 正浩
日本電気(株)
-
吉田 信秀
日本電気(株)
-
浅井 周二
日本電気(株)
-
藤井 正浩
Nec光・無線デバイス研究所
-
藤井 正浩
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
藤井 正浩
NEC光エレクトロニクス研究所
-
吉田 信秀
NEC光・無線デバイス研究所
-
吉田 信秀
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
佐藤 輝忠
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻 : (現)(株)東芝
-
大橋 政芳
中央大学大学院理工学研究科
-
廣部 厚紀
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻 : (現)日本電気(株)
-
大橋 政芳
中央大学
-
榎本 忠儀
中央大学 大学院 理工学研究科 情報工学専攻
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